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SK하이닉스, 10나노급 6세대 LPDDR6 개발… '온디바이스 AI' 시장 격돌 [경제일보] SK하이닉스(대표 곽노정)가 10나노급 6세대(1c) 공정을 적용한 16Gb LPDDR6 D램 개발을 마치고 올 하반기 본격적인 양산 공급 체제에 돌입한다. 온디바이스 AI(기기 내장형 인공지능) 시대의 핵심 부품인 차세대 저전력 메모리 시장에서 기술 우위를 선점하겠다는 전략이다. 삼성전자와의 양산 경쟁도 더욱 뜨거워질 전망이다. 이번에 개발된 1c LPDDR6 D램은 이전 세대인 LPDDR5X 대비 데이터 처리 속도를 33% 향상했다. 동작 속도는 10.7Gbps 이상을 구현하며 생성형 AI가 요구하는 고대역폭 요건을 충족했다. 전력 소모 또한 서브 채널 구조와 DVFS(동적 전압·주파수 조절) 기술을 적용해 20% 이상 낮췄다. SK하이닉스는 1c라는 최첨단 미세 공정을 선제적으로 적용함으로써 전력 효율과 집적도를 극대화했다. 이는 모바일 기기 사용자가 음성 전사, 실시간 번역 등 고사양 AI 기능을 실행할 때 배터리 소모를 최소화하면서도 매끄러운 성능을 경험할 수 있게 설계됐음을 의미한다. 이번 개발은 스마트폰과 노트북 등 모바일 기기의 AI화가 가속화되는 시장 흐름을 반영하고 있다. 시장 조사기관 IDC에 따르면, 생성형 AI 기능을 탑재한 스마트폰 출하량은 매년 급증하고 있으며 이에 따라 고성능 저전력 메모리의 수요도 확대되고 있다. 업계 관계자는 "기존 일반 DDR 제품군을 저전력 메모리가 빠르게 대체하는 세대 교체가 일어나고 있다"며 "온디바이스 AI 환경에서는 데이터를 서버로 보내지 않고 기기 내부에서 처리해야 하므로 더 빠르고 더 효율적인 메모리가 'AI의 심장' 역할을 할 것"이라고 분석했다. SK하이닉스가 HBM(고대역폭메모리)에 이어 모바일 D램에서도 기술 격차를 벌리려는 배경이다. ◆ 삼성전자와의 격전, '시장 선점'이 관건 SK하이닉스의 1c 공정 기반 LPDDR6 개발로 삼성전자와의 경쟁 구도는 더욱 선명해졌다. 삼성전자는 1b 공정 기반의 LPDDR6 제품으로 제품 안정성과 조기 양산화에 집중하고 있으며, 최근에는 차차세대 제품인 LPDDR6X 샘플을 주요 칩셋 업체에 공급하며 시장 개화를 앞당기고 있다. SK하이닉스가 1c 공정을 통한 고효율 전략을 택했다면 삼성전자는 안정적인 공정 운영과 폭넓은 라인업 구축을 통해 맞불을 놓는 형국이다. 전문가들은 삼성전자가 성능 안정성을 우선시한 1b 공정을 선택한 것은 초기 수율 확보와 고객사 공급 안정성을 염두에 둔 전략적 선택으로 보고 있다. 향후 LPDDR6 시장은 스마트폰을 넘어 자율주행차(SDV), 스마트 가전 등으로 사용 범위가 대폭 확대될 전망이다. 업계는 HBM이 서버용 AI 시장을 주도한다면, LPDDR6는 개인용 AI 기기 시장의 성장을 견인하며 메모리 반도체 기업의 새로운 매출 효자가 될 것으로 내다본다. SK하이닉스는 이번 인증 완료를 통해 하반기 글로벌 모바일 고객사에 대한 공급을 차질 없이 진행할 계획이다. 전문가들은 기술 우위를 점하기 위한 양사의 미세 공정 경쟁이 치열해질수록 결과적으로 차세대 AI 디바이스의 상용화 속도 역시 빨라질 것으로 보고 있다. 온디바이스 AI가 보편화되는 2026년 하반기, 누가 더 압도적인 전력 효율과 대역폭을 가진 메모리를 시장에 먼저 안착시키느냐가 승부처가 될 전망이다.2026-03-10 16:51:42
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삼성전자, '최고 성능' HBM4 세계 최초 양산 출하…'반도체 왕좌' 탈환 신호탄 [이코노믹데일리] 삼성전자가 꿈의 메모리로 불리는 6세대 고대역폭메모리(HBM4)를 세계 최초로 양산해 고객사에 출하했다. HBM3E(5세대) 시장에서 경쟁사에 밀려 자존심을 구겼던 삼성전자가 압도적인 기술력을 앞세워 6세대 시장 선점에 성공하며 '반도체 왕좌' 탈환에 시동을 걸었다는 평가다. 12일 업계에 따르면 삼성전자는 이날 업계 최고 성능을 갖춘 HBM4 제품의 양산 출하를 시작했다. 이번에 출하된 HBM4는 엔비디아의 차세대 AI 가속기 '베라 루빈(Vera Rubin)' 등에 탑재될 것으로 전망된다. ◆ 송재혁 사장 "기술은 최고…삼성 본연의 모습 보여줄 것" 이번 양산 출하는 전날 예고된 자신감의 결과물이다. 송재혁 삼성전자 디바이스솔루션(DS)부문 최고기술책임자(CTO) 사장은 지난 11일 서울 코엑스에서 열린 '세미콘 코리아 2026' 기조연설 직전 취재진과 만나 "HBM4에 대한 고객사 피드백이 매우 만족스럽다"며 "사실상 기술에 있어서는 최고"라고 강조했다. 송 사장은 "세계에서 가장 좋은 기술력으로 대응했던 삼성의 원래 모습을 다시 보여드리는 것"이라며 "차세대인 HBM4E, HBM5에서도 업계 1위가 될 수 있도록 기술을 준비하고 있다"고 밝혔다. 특히 그는 "삼성은 메모리와 파운드리(반도체 위탁생산), 패키지를 다 갖고 있다는 점에서 지금 AI가 요구하는 제품을 만드는 데 가장 좋은 환경을 갖고 있으며 그것이 적합하게 시너지를 내고 있다"며 삼성만의 'IDM(종합반도체기업) 역량'을 승부처로 꼽았다. 삼성전자가 세계 최초 양산에 성공한 HBM4는 기존 제품의 한계를 뛰어넘는 '괴물 스펙'을 자랑한다. 삼성전자는 이번 제품에 10나노급 6세대(1c) D램과 자체 파운드리 4나노 공정을 적용하는 승부수를 던졌다. 그 결과 데이터 처리 속도는 국제반도체표준협의기구(JEDEC) 표준인 8Gbps(초당 기가비트)를 46%나 상회하는 최대 11.7Gbps를 달성했다. 이는 전 세대인 HBM3E(9.6Gbps)보다 22% 빠르다. 대역폭 역시 단일 스택 기준 최대 3.3TB/s(초당 테라바이트)로 전작 대비 약 2.7배 향상됐으며 용량은 12단 적층 기준 36GB를 구현했다. 향후 16단 적층 기술을 적용해 48GB까지 용량을 늘릴 계획이다. 특히 주목할 점은 메모리의 두뇌 역할을 하는 '베이스 다이(Base Die)'에 4나노 파운드리 미세 공정을 적용했다는 것이다. 이를 통해 단순한 데이터 저장소를 넘어 연산 기능까지 일부 수행하는 '커스텀 HBM' 시대를 열었다는 평가를 받는다. ◆ SK하이닉스 추격 따돌리고 '주도권' 잡나 업계에서는 삼성전자의 이번 조기 양산이 HBM 시장의 판도를 뒤흔들 '게임 체인저'가 될 것으로 보고 있다. HBM3E 시장까지는 SK하이닉스가 독주 체제를 굳혔으나 AI 반도체의 구조가 바뀌는 HBM4부터는 삼성전자가 '원팀' 전략으로 치고 나가는 모양새다. SK하이닉스는 HBM4 생산을 위해 파운드리 1위인 대만 TSMC와 연합 전선을 구축했지만 삼성전자는 메모리 설계부터 파운드리 생산, 패키징까지 한 지붕 아래서 처리하는 '턴키(Turn-key)' 솔루션으로 납기 속도와 최적화 면에서 우위를 점했다는 분석이다. 송 사장이 언급한 "가장 좋은 환경"이 바로 이 지점이다. 미국 마이크론이 엔비디아의 HBM4 초기 공급망 진입에 난항을 겪고 있는 것으로 알려진 가운데 삼성전자가 초기 물량을 선점하면서 향후 가격 협상력과 점유율 싸움에서도 유리한 고지에 올랐다. 전문가들은 "삼성전자가 HBM4 조기 출하로 기술 리더십을 증명했다"며 "다만 실제 양산 수율(양품 비율)을 얼마나 빠르게 안정화하느냐가 향후 엔비디아 등 빅테크 물량을 독식할 수 있는 관건이 될 것"이라고 전망했다.2026-02-12 15:17:55
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송재혁 삼성전자 사장 "HBM4, 기술은 최고…'원래 삼성'으로 돌아왔다" [이코노믹데일리] 송재혁 삼성전자 디바이스솔루션(DS)부문 최고기술책임자(CTO) 사장이 6세대 고대역폭메모리(HBM4) 양산을 앞두고 "세계 최고 기술력으로 대응했던 삼성 본연의 경쟁력을 다시 보여주는 것"이라며 강한 자신감을 드러냈다. 삼성전자는 설 연휴 직후 업계 최초로 엔비디아에 HBM4를 공급하며 '반도체 왕좌' 탈환에 시동을 건다. 송 사장은 11일 서울 강남구 코엑스에서 열린 '세미콘 코리아 2026' 기조연설 직전 취재진과 만나 "HBM4에 대한 고객사(엔비디아 등) 피드백이 매우 만족스럽다"며 이같이 밝혔다. 그는 "삼성은 메모리와 파운드리, 패키지를 모두 보유한 유일한 기업(IDM)으로서 AI가 요구하는 최적의 제품을 만드는 데 가장 좋은 환경을 갖췄고, 이것이 시너지를 내고 있다"고 강조했다. 삼성전자는 이번 HBM4에 10나노 6세대(1c) D램과 4나노 파운드리 공정을 동시에 적용하는 승부수를 던졌다. 그 결과 데이터 처리 속도는 국제표준(JEDEC)인 8Gbps를 37%나 웃도는 최대 11.7Gbps를 달성했다. 전 세대인 HBM3E(9.6Gbps)보다도 22% 빠르다. 메모리 대역폭은 전작 대비 2.4배 향상된 최대 3TB/s에 달하며, 12단 적층 기술로 최대 36GB 용량을 제공한다. 송 사장은 "HBM4는 기술적으로는 사실상 최고 수준"이라며 "수율 역시 구체적 숫자를 밝히긴 어렵지만 좋다"고 언급했다. 이는 그동안 HBM 시장에서 경쟁사에 밀렸던 자존심을 기술력으로 완벽히 회복했다는 선언으로 풀이된다. 송 사장은 향후 시장 전망에 대해서도 낙관했다. 그는 "AI 수요가 과거 모바일이나 PC와는 차원이 다른 성격(클라우드 주도)을 띠고 있어 메모리 공급 부족 현상이 올해와 내년에도 강하게 지속될 것"이라며 반도체 '슈퍼사이클(초호황기)' 진입을 예고했다. 차세대 기술 로드맵에 대해서도 "HBM4E(7세대), HBM5(8세대)에서도 업계 1위가 될 수 있도록 기술을 준비 중"이라며 "미래 기술을 선제적으로 확보해 파급 효과를 보여주겠다"고 말했다. 삼성전자는 설 연휴가 끝나는 2월 셋째 주부터 엔비디아향 HBM4 양산 출하를 시작하며 시장 주도권 확보에 총력을 기울일 방침이다.2026-02-11 11:25:30
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