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SK하이닉스, 10나노급 6세대 LPDDR6 개발… '온디바이스 AI' 시장 격돌 [경제일보] SK하이닉스(대표 곽노정)가 10나노급 6세대(1c) 공정을 적용한 16Gb LPDDR6 D램 개발을 마치고 올 하반기 본격적인 양산 공급 체제에 돌입한다. 온디바이스 AI(기기 내장형 인공지능) 시대의 핵심 부품인 차세대 저전력 메모리 시장에서 기술 우위를 선점하겠다는 전략이다. 삼성전자와의 양산 경쟁도 더욱 뜨거워질 전망이다. 이번에 개발된 1c LPDDR6 D램은 이전 세대인 LPDDR5X 대비 데이터 처리 속도를 33% 향상했다. 동작 속도는 10.7Gbps 이상을 구현하며 생성형 AI가 요구하는 고대역폭 요건을 충족했다. 전력 소모 또한 서브 채널 구조와 DVFS(동적 전압·주파수 조절) 기술을 적용해 20% 이상 낮췄다. SK하이닉스는 1c라는 최첨단 미세 공정을 선제적으로 적용함으로써 전력 효율과 집적도를 극대화했다. 이는 모바일 기기 사용자가 음성 전사, 실시간 번역 등 고사양 AI 기능을 실행할 때 배터리 소모를 최소화하면서도 매끄러운 성능을 경험할 수 있게 설계됐음을 의미한다. 이번 개발은 스마트폰과 노트북 등 모바일 기기의 AI화가 가속화되는 시장 흐름을 반영하고 있다. 시장 조사기관 IDC에 따르면, 생성형 AI 기능을 탑재한 스마트폰 출하량은 매년 급증하고 있으며 이에 따라 고성능 저전력 메모리의 수요도 확대되고 있다. 업계 관계자는 "기존 일반 DDR 제품군을 저전력 메모리가 빠르게 대체하는 세대 교체가 일어나고 있다"며 "온디바이스 AI 환경에서는 데이터를 서버로 보내지 않고 기기 내부에서 처리해야 하므로 더 빠르고 더 효율적인 메모리가 'AI의 심장' 역할을 할 것"이라고 분석했다. SK하이닉스가 HBM(고대역폭메모리)에 이어 모바일 D램에서도 기술 격차를 벌리려는 배경이다. ◆ 삼성전자와의 격전, '시장 선점'이 관건 SK하이닉스의 1c 공정 기반 LPDDR6 개발로 삼성전자와의 경쟁 구도는 더욱 선명해졌다. 삼성전자는 1b 공정 기반의 LPDDR6 제품으로 제품 안정성과 조기 양산화에 집중하고 있으며, 최근에는 차차세대 제품인 LPDDR6X 샘플을 주요 칩셋 업체에 공급하며 시장 개화를 앞당기고 있다. SK하이닉스가 1c 공정을 통한 고효율 전략을 택했다면 삼성전자는 안정적인 공정 운영과 폭넓은 라인업 구축을 통해 맞불을 놓는 형국이다. 전문가들은 삼성전자가 성능 안정성을 우선시한 1b 공정을 선택한 것은 초기 수율 확보와 고객사 공급 안정성을 염두에 둔 전략적 선택으로 보고 있다. 향후 LPDDR6 시장은 스마트폰을 넘어 자율주행차(SDV), 스마트 가전 등으로 사용 범위가 대폭 확대될 전망이다. 업계는 HBM이 서버용 AI 시장을 주도한다면, LPDDR6는 개인용 AI 기기 시장의 성장을 견인하며 메모리 반도체 기업의 새로운 매출 효자가 될 것으로 내다본다. SK하이닉스는 이번 인증 완료를 통해 하반기 글로벌 모바일 고객사에 대한 공급을 차질 없이 진행할 계획이다. 전문가들은 기술 우위를 점하기 위한 양사의 미세 공정 경쟁이 치열해질수록 결과적으로 차세대 AI 디바이스의 상용화 속도 역시 빨라질 것으로 보고 있다. 온디바이스 AI가 보편화되는 2026년 하반기, 누가 더 압도적인 전력 효율과 대역폭을 가진 메모리를 시장에 먼저 안착시키느냐가 승부처가 될 전망이다.2026-03-10 16:51:42
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KAIST, 차세대 반도체 핵심 '텔루륨' 스위칭 비밀 풀었다 [이코노믹데일리] 인공지능(AI) 시대를 맞아 초고속·저전력 반도체의 중요성이 커지는 가운데, 국내 연구진이 차세대 메모리 소자의 작동 원리를 규명하는 데 성공했다. 그동안 열에 취약해 다루기 힘들었던 소재를 제어하는 기술을 확보함으로써 반도체 설계의 새로운 이정표를 세웠다는 평가다. 한국과학기술원(KAIST, 총장 이광형)은 생명화학공학과 서준기 교수팀이 경북대 이태훈 교수팀과 공동 연구를 통해 나노 소자 내부의 전기 스위칭 과정과 물질 상태 변화를 실시간으로 포착하는 실험 기법을 개발했다고 8일 밝혔다. 이번 연구의 핵심은 차세대 메모리 소재로 주목받는 '텔루륨(Te)'이다. 텔루륨은 금속과 비금속의 성질을 모두 가진 준금속 원소로, 특히 원자 배열이 불규칙한 '비정질' 상태일 때 고속 동작과 저전력 구동이 가능하다. 하지만 전기를 흘리면 발생하는 열 때문에 성질이 쉽게 변해 비정질 상태를 유지하며 연구하기가 매우 까다로웠다. 연구팀은 이 문제를 해결하기 위해 '급속 냉각' 방식을 도입했다. 소자 주변 온도를 극저온으로 낮춘 뒤 물질을 순간적으로 녹였다가 빠르게 식히는 기법이다. 이를 통해 머리카락보다 훨씬 작은 나노 소자 안에서 텔루륨을 유리처럼 불규칙한 비정질 상태로 안정적으로 구현해냈다. 연구팀은 이 환경에서 전압을 가했을 때 전기가 어떻게 흐르는지 정밀 관측했다. 그 결과 비정질 텔루륨의 스위칭은 단순한 1단계가 아니라는 사실이 밝혀졌다. 전압이 일정 수준을 넘으면 내부의 미세한 결함을 따라 먼저 전류가 급격히 증가하고, 이후 열이 축적되면서 물질이 녹는 '2단계 스위칭' 과정을 거친다는 것을 확인했다. 스위칭이 시작되는 정확한 전압과 열 조건, 에너지 손실 구간을 구체적으로 파악한 것이다. 또한 연구팀은 과도한 전류 없이도 비정질 상태를 유지하며 전압이 스스로 커졌다 작아지는 '자가 진동(Self-oscillation)' 현상을 구현하는 데도 성공했다. 복잡한 화합물 없이 텔루륨 단일 원소만으로도 안정적인 전기 제어가 가능함을 입증한 셈이다. 이번 성과는 단순히 현상을 관찰한 것을 넘어, '왜, 언제 전기가 켜지는지'에 대한 원리를 규명했다는 데 의의가 있다. 이를 활용하면 열 발생을 최소화하면서도 작동 속도가 빠르고 전력 소모가 적은 AI용 메모리 소자를 설계할 수 있다. 서준기 교수는 "비정질 텔루륨을 실제 소자 환경에서 구현하고 스위칭 원리를 규명한 첫 사례"라며 "차세대 메모리 및 스위칭 소재 연구의 새로운 기준을 제시했다"고 강조했다. 이번 연구 결과는 국제 학술지 '네이처 커뮤니케이션스(Nature Communications)' 온라인판에 게재됐다.2026-02-08 13:32:43
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