2026.07.14 화요일
검색
'AI메모리' 검색결과
기간검색
-
~
검색영역
검색어
-
SK하이닉스, 美 ADR 공모가 149달러 확정…40조 조달·'프리미엄 프라이싱' 성공 [경제일보] SK하이닉스가 미국주식예탁증서(ADR) 기업공개(IPO)에서 공모가를 시장 예상보다 높은 수준으로 확정하며 약 40조원의 투자 자금을 확보했다. 통상 할인 공모가 일반적인 대형 IPO 시장에서 프리미엄 가격을 인정받으면서 글로벌 자본시장에서 인공지능(AI) 메모리 경쟁력을 다시 한번 입증했다는 평가가 나온다. 10일 업계에 따르면 SK하이닉스는 미국 ADR 공모가를 주당 149달러로 최종 확정했다. 공모 물량은 ADR 1억7790만주로 이를 통해 총 265억700만 달러(약 40조원)를 조달하게 된다. ADR 1주는 국내 보통주 10분의 1에 해당한다. 이를 환산하면 ADR 공모가는 전날 한국 증시에서 거래된 SK하이닉스 보통주 종가보다 약 2.9% 높은 수준이다. 대규모 IPO는 일반적으로 투자자 유치를 위해 기존 주가보다 할인된 가격에 공모하는 경우가 많지만, SK하이닉스는 오히려 기존 주가를 웃도는 가격으로 공모를 마무리했다. 회사 측은 미국 IPO 시장에서 이 같은 '프리미엄 프라이싱(Premium Pricing)' 사례는 처음이라고 설명했다. 시장에서는 이번 공모 결과를 글로벌 투자자들이 SK하이닉스의 성장성과 기업가치를 높게 평가한 결과로 해석하고 있다. AI 메모리 시장을 주도하는 고대역폭메모리(HBM) 경쟁력과 중장기 성장성이 투자 심리를 이끌었다는 분석이다. 공모 규모 역시 미국 자본시장 역사에 남을 수준이다. 이번 공모 금액은 265억 달러로 2014년 중국 알리바바의 250억 달러를 넘어 외국 기업의 미국 IPO 가운데 역대 최대 규모를 기록했다. ADR 방식 공모 기준으로도 사상 최대 규모이며, 미국 전체 IPO 시장에서도 스페이스X에 이어 두 번째로 큰 거래로 평가된다. 이번 공모에는 모집 물량의 7배가 넘는 주문이 몰린 것으로 알려졌다. 블룸버그는 총 주문 규모가 약 2000억 달러에 달했으며 발행 물량의 절반가량이 상위 10개 기관투자자에게 배정됐다고 보도했다. 특히 글로벌 장기 투자펀드와 기술 전문 투자펀드, 국부펀드 등 대형 기관투자자들의 참여가 두드러진 것으로 전해졌다. SK하이닉스는 미국 동부시간 기준 10일부터 'SKHYV' 종목코드로 조건부 거래를 시작하며, 오는 13일부터는 'SKHY' 코드로 정규 거래에 들어간다. 공모 절차는 14일 최종 마무리될 예정이다. 이날 뉴욕 타임스퀘어 나스닥 마켓사이트에서는 최태원 SK그룹 회장과 곽노정 SK하이닉스 대표이사 사장 등 주요 경영진이 참석한 가운데 ADR 상장을 기념하는 개장식이 열린다.2026-07-10 14:30:48
-
최태원, SK하이닉스 ADR 상장 직접 챙기러 방미…나스닥 데뷔 지원사격 [경제일보] SK하이닉스가 미국 나스닥 시장에 미국주식예탁증서(ADR)를 상장하며 글로벌 자본시장 공략에 나선다. 대규모 투자 재원을 확보하는 동시에 인공지능(AI) 메모리 시장의 경쟁력을 앞세워 글로벌 기업가치를 한 단계 끌어올리겠다는 전략이다. 9일 재계에 따르면 SK하이닉스 ADR은 공모 절차를 마치고 오는 10일(현지시간) 미국 나스닥 시장에서 거래를 시작한다. 상장을 앞둔 기관 수요예측에는 공모 물량의 7배가 넘는 주문이 몰린 것으로 알려졌다. 공모가가 8일 SK하이닉스 종가 기준으로 확정될 경우 조달 규모는 약 245억 달러(약 37조1000억원)에 달할 전망이다. SK하이닉스는 이번 상장을 위해 전체 발행주식의 약 2.5%인 최대 1779만주의 신주를 발행한다. 확보한 자금은 용인 반도체 클러스터 1기 팹과 청주 P&T7 첨단 패키징 공장 건설, 극자외선(EUV) 노광장비 등 생산설비 투자에 활용할 계획이다. 최태원 SK그룹 회장도 이번 ADR 상장을 계기로 미국을 방문한다. 최 회장은 10일 뉴욕에서 열리는 나스닥 상장 기념식에 곽노정 SK하이닉스 대표이사 사장 등 주요 경영진과 함께 참석해 글로벌 투자자들과 직접 소통할 예정이다. 이 자리에서는 SK하이닉스의 AI 메모리 경쟁력과 중장기 성장 전략을 설명하고 글로벌 투자자 기반 확대에 나설 것으로 알려졌다. 업계에서는 최 회장의 참석이 단순한 상장 기념 행사를 넘어 글로벌 자본시장에 SK하이닉스의 성장성을 적극 알리기 위한 행보라는 분석을 내놓고 있다. AI 인프라 투자 확대의 핵심 수혜 기업으로 자리매김한 만큼 글로벌 시장에서 기업가치를 재평가받겠다는 의지가 반영됐다는 것이다. 최 회장은 올해 초 출간한 저서 슈퍼 모멘텀에서 "시장이 SK하이닉스를 아직 범용 메모리 제조사로 인식하고 있다"며 "SK하이닉스는 지금보다 10배는 더 커져야 한다"고 밝힌 바 있다. 이는 회사를 단순 메모리 공급업체가 아닌 고객 맞춤형 AI 메모리 솔루션 기업으로 육성해 기업가치를 높이겠다는 구상으로 해석된다. 재계에서는 최 회장이 방미 기간 엔비디아와 테슬라 등 글로벌 빅테크 경영진과도 잇달아 만날 가능성에 주목하고 있다. 최 회장은 지난 2월 미국 실리콘밸리에서 젠슨 황 엔비디아 최고경영자(CEO)와 만나 고대역폭메모리(HBM)를 비롯해 차세대 서버용 메모리 모듈인 SOCAMM, 낸드플래시, AI 데이터센터 구축 등 중장기 협력 방안을 논의했다.2026-07-09 10:00:17
-
삼성전자, HBM4 선점 효과 본격화…4개월 만에 매출 10억 달러 돌파 [경제일보] 삼성전자가 세계 최초로 양산한 6세대 고대역폭메모리(HBM) HBM4를 앞세워 인공지능(AI) 메모리 시장 공략에 속도를 내고 있다. 업계에서는 HBM4 출시 약 4개월 만에 누적 매출이 10억 달러를 넘어선 것으로 추정하며 삼성전자의 HBM 시장 점유율 확대에도 관심이 쏠리고 있다. 23일 업계에 따르면, 삼성전자의 HBM4 누적 매출은 최근 10억 달러(약 1조5000억원)를 돌파한 것으로 알려졌다. 삼성전자는 지난 2월 세계 최초로 HBM4 양산을 시작한 이후 주요 고객사를 대상으로 공급을 확대해 왔다. 업계에서는 이달 말 기준 누적 매출이 12억 달러를 넘어설 것으로 전망하고 있다. HBM4는 AI 서버와 고성능컴퓨팅(HPC) 시장 확대의 핵심 수혜 제품으로 꼽힌다. 생성형 AI 확산에 따라 데이터 처리량이 급증하면서 차세대 HBM 수요도 빠르게 늘고 있기 때문이다. 특히 최근 글로벌 빅테크들이 자체 AI 반도체 개발에 적극 나서면서 주문형 반도체(ASIC) 시장이 확대되고 있는 점도 삼성전자에 호재로 작용하고 있다. 업계에서는 브로드컴과 구글, 아마존, 마이크로소프트, 메타 등 ASIC 기반 AI 인프라 확대가 HBM 수요 증가를 이끌 것으로 보고 있다. 삼성전자는 주요 GPU 업체뿐 아니라 ASIC 기반 하이퍼스케일러 고객사들과도 공급 협력을 확대하며 고객 다변화에 나서고 있다. 시장에서는 HBM4 공급 확대에 힘입어 삼성전자의 올해 전체 HBM 매출이 전년 대비 큰 폭으로 증가할 것으로 전망한다. 기술 경쟁력도 강점으로 꼽힌다. 삼성전자는 HBM4 베이스 다이에 4나노 공정을 적용해 성능과 전력 효율을 높였다. 데이터 처리 속도는 업계 표준 대비 약 46% 향상됐으며 데이터 전송 능력과 전력 효율 역시 전 세대 제품 대비 개선됐다. 업계는 삼성전자가 HBM4에 이어 차세대 제품인 HBM4E 시장에서도 선제적인 공급 전략을 펼칠 것으로 보고 있다. 삼성전자는 메모리와 파운드리, 첨단 패키징 역량을 모두 갖춘 종합반도체기업(IDM) 구조를 기반으로 AI 메모리 시장 주도권 확보에 나선다는 전략이다.2026-06-23 10:42:06
-
SK하이닉스, HBM4E 고객사 첫 샘플 출격…AI 메모리 초격차 노린다 [경제일보] SK하이닉스가 차세대 인공지능(AI) 메모리 시장 선점을 위해 고대역폭메모리(HBM) 차세대 제품인 'HBM4E' 샘플 공급에 나섰다. AI 데이터센터와 고성능 컴퓨팅(HPC) 시장 확대에 맞춰 성능과 전력 효율을 동시에 높인 제품으로 차세대 AI 인프라 수요 공략에 속도를 내는 모습이다. SK하이닉스는 차세대 AI용 초고성능 D램 제품인 HBM4E 12단 샘플을 주요 고객사에 공급했다고 18일 밝혔다. HBM4E는 기존 HBM4 대비 성능과 전력 효율을 한층 강화한 제품이다. 핀(Pin)당 최대 16Gbps 데이터 처리 속도를 구현했으며 에너지 효율도 20% 이상 개선했다. AI 학습과 추론 과정에서 필요한 대규모 데이터 처리 성능을 높이는 데 초점을 맞췄다. 데이터 전송 지연 시간도 줄였다. 최신 인터페이스와 설계 최적화를 적용해 고대역폭 환경에서도 안정적인 구동이 가능하도록 설계됐다. 회사는 이를 통해 차세대 AI 데이터센터와 초고성능 컴퓨팅 시스템의 처리 효율을 높일 수 있을 것으로 기대하고 있다. 용량 역시 확대됐다. SK하이닉스는 HBM4E에 어드밴스드 MR-MUF(Mass Reflow Molded Underfill) 공정을 적용해 12단 적층 기준 48GB 용량을 구현했다. 칩 적층 구조 안정성을 높이는 동시에 발열 관리 성능도 개선했다. 특히 열 저항은 기존 HBM4 대비 약 17% 낮아졌다. AI 서버와 데이터센터처럼 고부하 연산이 지속되는 환경에서도 안정적인 동작이 가능하도록 설계한 것이 특징이다. 업계에서는 AI 반도체 성능 경쟁이 심화되면서 메모리 성능과 전력 효율이 AI 인프라 경쟁력의 핵심 요소로 부상하고 있다고 보고 있다. 엔비디아를 비롯한 글로벌 AI 반도체 기업들이 차세대 AI 가속기 개발에 속도를 내면서 HBM 수요도 빠르게 증가하는 추세다. 시장조사업체들은 향후 AI 서버 시장 성장에 따라 HBM 시장 규모가 지속 확대될 것으로 전망하고 있다. 특히 HBM4 이후 차세대 제품인 HBM4E는 AI 학습과 추론 성능 향상을 위한 핵심 메모리로 주목받고 있다. SK하이닉스는 HBM3와 HBM3E, HBM4에 이어 HBM4E까지 차세대 제품 개발을 이어가며 AI 메모리 시장 주도권 강화에 나서고 있다. 회사는 그동안 축적한 양산 경험과 공급 역량을 기반으로 고객 맞춤형 메모리 솔루션 제공을 확대한다는 계획이다. 최근 SK하이닉스는 AI 메모리 사업 확대를 위해 엔비디아와의 협력도 강화하고 있다. 양사는 차세대 AI 팩토리 구축을 위한 메모리 공동 개발과 장기 기술 파트너십을 추진 중이며 베라 루빈(Vera Rubin) 기반 차세대 AI 플랫폼용 메모리 개발에도 협력하고 있다. SK하이닉스는 이번 HBM4E 샘플 공급을 통해 고객사 평가와 검증 절차를 진행한 뒤 향후 양산 체제로 전환할 계획이다. 안현 SK하이닉스 개발총괄 사장(CDO)은 "업계 최고 수준의 기술 경쟁력과 양산 역량을 바탕으로 HBM4E에서도 AI 혁신을 지원할 수 있는 기반을 마련했다"며 "고객과의 협력을 통해 시장이 요구하는 가치를 선제적으로 구현하고 AI 메모리 기술 리더십을 더욱 강화해 나가겠다"고 말했다. SK하이닉스 관계자는 "현재 HBM4E는 주요 고객사를 대상으로 성능과 안정성을 검증하는 단계"라며 "HBM 시장은 여전히 HBM3E가 주력 제품이고 점차 HBM4로 전환되는 과정에 있는 만큼 고객 일정과 시장 상황에 맞춰 양산 체계를 준비해 나갈 계획"이라고 설명했다. 이어 "HBM4E 12단 제품을 먼저 선보인 것은 고객사들의 고용량 수요를 반영한 결과로 볼 수 있다"며 "HBM4E는 이전 세대보다 개별 D램 용량이 확대되면서 12단 적층만으로도 더 높은 용량 구현이 가능해졌다"고 말했다. 또 "향후 고객사 검증 결과와 시장 수요를 종합적으로 고려해 양산 안정성과 공급 안정성을 확보하는 데 집중할 것"이라고 덧붙였다.2026-06-18 19:13:22
-
삼성전자, HBM5 첫 공개…발열 잡고 성능 높인다 [경제일보] 글로벌 반도체 기업 삼성전자가 차세대 고대역폭메모리(HBM)인 HBM5 실물 모형을 처음 공개하며 AI 메모리 주도권 경쟁에 본격 나섰다. 자체 파운드리 공정과 첨단 패키징 기술을 결합한 차세대 HBM 로드맵을 공개하면서 AI 반도체 토털 솔루션 기업으로의 경쟁력을 강조했다. 송재혁 삼성전자 최고기술책임자(CTO)는 2일 대만 타이베이에서 열린 '컴퓨텍스 2026' 현장에서 기자들과 만나 "AI 산업이 빠르게 성장하면서 메모리뿐 아니라 파운드리, 로직, 패키징까지 아우르는 통합 경쟁력이 중요해지고 있다"고 했다. 삼성전자는 이번 전시에서 8세대 HBM인 HBM5 목업(Mock-up)을 처음 공개했다. HBM5에는 차세대 열관리 기술인 'HPB(Heat Path Block)' 구조가 최초 적용될 예정이다. HPB는 고성능 AI 메모리 구동 과정에서 발생하는 발열을 효과적으로 분산시키기 위한 기술이다. 메모리 적층 구조 내부에 별도의 열 전달 경로를 구축해 열 저항을 낮추고 안정성을 높이는 방식이다. 삼성전자는 이미 HBM4E 기반으로 HPB 기술 검증을 완료했으며 향후 HBM5부터 본격 적용할 계획이다. 송 CTO는 "일종의 굴뚝 역할을 하는 열 전달 구조를 추가해 발열을 효율적으로 제어할 수 있도록 설계했다"며 "고대역폭·고집적 AI 시스템 환경에서 성능과 에너지 효율을 높이는 핵심 기술이 될 것"이라고 했다. HBM5에는 삼성전자 파운드리 사업부의 2나노 공정으로 제작한 베이스 다이도 적용될 예정이다. 메모리와 파운드리 역량을 결합해 차세대 AI 반도체 경쟁력을 강화하겠다는 전략이다. 삼성전자는 이와 함께 최근 업계 최초로 고객사 샘플 출하를 시작한 HBM4E 웨이퍼와 칩셋도 전시했다. HBM4E는 최선단 1c D램 공정 기반 코어 다이와 자체 4나노 파운드리 공정 베이스 다이를 결합한 제품이다. 핀당 최대 16Gbps 속도와 4TB/s급 대역폭 구현이 가능하다. 업계에서는 삼성전자가 HBM4E 양산과 HBM5 개발 계획을 동시에 공개하면서 SK하이닉스와 마이크론이 주도하고 있는 AI 메모리 시장에서 기술 경쟁력 회복에 속도를 내고 있다는 분석이 나온다.2026-06-02 13:29:09
-
삼성전자, 차세대 HBM4E 샘플 공급 개시…AI 반도체 '다음 승부처' 선점 [경제일보] 국내 대표 기업 삼성전자가 차세대 AI(인공지능) 메모리 시장 공략을 위해 HBM4E(고대역폭메모리) 샘플 공급에 나섰다. 세계 최초 HBM4 양산에 이어 차세대 제품까지 선제적으로 공급하며 AI 메모리 시장 주도권 확보에 속도를 내는 모습이다. 삼성전자는 글로벌 고객사에 'HBM4E 12단' 샘플 공급을 시작했다고 29일 밝혔다. HBM4E는 차세대 AI 가속기와 대규모 언어모델(LLM) 구동을 위한 고성능 메모리다. 삼성전자는 지난 2월 업계 최초로 HBM4 양산을 시작한 데 이어 이번 HBM4E 샘플 공급까지 진행하며 차세대 HBM 제품군 확대에 나섰다. 이번 제품은 설계와 공정 최적화를 통해 성능을 높인 것이 특징이다. 핀(Pin)당 동작 속도는 최대 16Gbps로 전작 HBM4 대비 20% 이상 향상됐다. 단일 스택 기준 초당 3.6TB(테라바이트) 수준의 데이터 처리 대역폭도 제공한다. 용량 역시 확대됐다. HBM4E 12단 제품은 48GB(기가바이트) 용량을 구현해 전작 대비 30% 이상 늘어난 수준이다. 삼성전자는 향후 고객 수요에 맞춰 32GB(8단)와 64GB(16단) 제품까지 라인업을 확대할 계획이다. 업계에서는 최근 생성형 AI 시장 확대와 AI 데이터센터 투자 증가로 고성능 HBM 수요가 빠르게 늘어나는 상황에서 HBM4와 HBM4E가 차세대 AI 반도체 시장 핵심 메모리로 자리 잡을 것으로 보고 있다. 특히 AI 모델 규모가 커질수록 데이터 처리 속도와 용량 확보 중요성이 높아지면서 차세대 HBM 경쟁도 더욱 치열해지는 분위기다. 삼성전자는 이번 HBM4E에 10나노급 6세대(1c) D램과 자체 4나노 공정 기반 로직 다이를 적용했다. 이를 통해 성능뿐 아니라 수율과 양산성 확보에도 주력했다는 설명이다. 전력 효율과 발열 특성도 개선했다. 삼성전자는 저전력 설계와 패키징 구조 최적화를 통해 전작 대비 에너지 효율을 16%, 열 저항 특성을 14% 이상 향상시켰다고 밝혔다. AI 데이터센터 운영 과정에서 중요성이 커지고 있는 전력 효율과 발열 관리 경쟁력을 강화했다는 평가다. 업계에서는 삼성전자가 △메모리 △파운드리 △시스템LSI △첨단 패키징까지 아우르는 반도체 밸류체인을 기반으로 AI 메모리 시장 경쟁력을 높이고 있다는 분석도 나온다. 특히 HBM4와 HBM4E 모두 자체 4나노 베이스 다이와 최신 D램 공정을 적용하고 있어 향후 양산 전환에도 속도를 낼 수 있을 것으로 전망된다. 삼성전자는 이번 샘플 공급을 시작으로 고객사 일정에 맞춰 양산 공급을 진행할 예정이다. 삼성전자 관계자는 "이번 HBM4E 샘플 공급은 고객사 수요에 맞춰 진행된 것으로 실제 고객사 평가 절차를 위한 단계"라며 "HBM은 고객사 인증과 테스트 과정에 상당한 시간이 소요되는 만큼 현재는 샘플 공급 단계이며 구체적인 양산 공급 일정은 아직 확정되지 않았다"고 말했다. 이어 "차세대 HBM 시장에서는 용량과 속도, 전력 효율 모두 중요한 경쟁 요소"라며 "고객사마다 AI 시스템 구조와 활용 목적이 다른 만큼 특정 사양 하나보다 전체적인 성능 균형과 최적화 수준이 중요하게 평가되고 있다"고 덧붙였다. 황상준 삼성전자 메모리사업부 개발담당 부사장은 "HBM4 양산에 이어 HBM4E 샘플 공급까지 성공적으로 진행하며 차세대 AI 메모리 시장 경쟁력을 강화하고 있다"며 "앞으로도 선제적인 기술 개발과 생산 인프라 투자를 통해 글로벌 AI 메모리 시장 성장을 주도해 나갈 것"이라고 말했다.2026-05-29 13:15:14
-
코스피 7822.24 마감…또 사상 최고치 경신 [경제일보] 코스피가 4% 이상 급등하며 또다시 사상 최고치를 경신했다. 이날 코스피는 처음으로 7800선을 돌파해 8000선까지 177포인트를 남긴 채 거래를 마쳤다. 장중에는 7876.60까지 올라 사상 최고치를 또다시 갈아치웠다. 급격한 상승세로 매수 사이드카가 발동되기도 했다. 11일 한국거래소에 따르면 이날 코스피는 전장보다 324.24포인트(4.32%) 상승한 7822.24에 마감했다. 장 초반 지수는 전장 대비 277.31포인트(3.70%) 상승한 7775.31로 출발해 오름세가 지속되며 장중 내내 상승폭을 키웠다. 이날 외국인은 3조4880억원 순매도했다. 반면 기관은 6238억원, 개인은 2조8711억원 순매수하며 지수 상승을 견인했다. 지수 상승은 반도체 대형주가 주도했다. 특히 인공지능(AI) 메모리 슈퍼사이클 기대감이 강하게 작용해 삼성전자와 SK하이닉스가 큰 상승폭을 보이며 주가를 이끌었다. 코스피 시가총액 상위 10개 종목은 대체적으로 상승세를 보이며 장을 마감했다. SK하이닉스는 11.51% 오른 188만원에 마감하며 이중 가장 큰 상승폭을 기록했다. 삼성전자도 6.33% 오른 28만5500원에 마감하며 가파른 오름세를 보였다. △SK스퀘어(8.11%) △삼성전자우(6.68%) △현대차(5.38%) △삼성물산(6.98%) △HD현대중공업(4.10%) △기아(6.20%)도 상승세로 마쳤다. 반면 △LG에너지솔루션(-1.78%) △두산에너빌리티(-1.23%)는 하락세를 보이며 마감했다. 코스닥 지수는 전장 대비 0.38포인트(-0.03%) 하락한 1207.34에 거래를 마감하며 비슷한 흐름을 보였다. 코스닥 시총 상위 10개 종목의 변동 현황은 △에코프로비엠 -6.53% △에코프로 -5.55% △알테오젠 -4.55% △레인보우로보틱스 +10.33% △코오롱티슈진 3.99% △삼천당제약 +1.36% △리노공업 2.84% △주성엔지니어링 +17.93% △HLB -2.92% △에이비엘바이오 -1.84%로 집계됐다. 이날 서울 외환시장에서 원·달러 환율은 전 거래일보다 0.7원 오른 1472.4원에 마감했다.2026-05-11 16:28:59
-
SK하이닉스, SOCAMM2로 '포스트 HBM' 겨냥…AI 메모리 성능서 전력 효율로 [경제일보] SK하이닉스가 저전력 D램 기반 차세대 모듈 'SOCAMM2'를 양산하며 AI(인공지능) 메모리 시장 경쟁 축을 확장하고 있다. 고대역폭메모리(HBM)에 집중됐던 AI 메모리 경쟁이 서버용 저전력 모듈까지 확대되는 흐름 속에서 새로운 성장 축을 선점하려는 전략으로 보인다. 그간 AI 반도체 시장의 핵심은 HBM이었다. GPU(그래픽처리장치) 성능을 극대화하기 위해서는 메모리 대역폭이 필수적이었고 이에 따라 HBM 수요가 폭발적으로 증가했다. 그러나 최근 AI 시장이 학습 중심에서 추론 중심으로 이동하면서 요구 조건이 달라지고 있다. 대규모 데이터 학습 단계에서는 성능이 중요하지만 실제 서비스 단계에서는 전력 효율과 비용이 핵심 변수로 떠오르고 있기 때문이다. 특히 클라우드 서비스 기업(CSP) 입장에서는 AI 모델을 장시간 운영해야 하는 만큼 전력 소비를 줄이는 것이 곧 수익성과 직결된다. 이로 인해 기존 고성능 중심에서 저전력·고효율 메모리에 대한 수요가 빠르게 증가하고 있다. SOCAMM2는 기존 서버용 메모리인 RDIMM과 달리 스마트폰 등에 사용되던 LPDDR(저전력 D램)을 서버 환경에 맞게 재구성한 모듈이다. 핵심은 전력 효율이다. LPDDR은 원래 모바일 기기의 배터리 효율을 극대화하기 위해 설계된 만큼 동일 용량 대비 전력 소모가 낮다. 이를 서버에 적용하면 대규모 데이터센터 운영 비용을 크게 줄일 수 있다. SK하이닉스에 따르면 이번 제품은 기존 RDIMM 대비 2배 이상의 대역폭과 75% 이상 개선된 에너지 효율을 구현했다. 이는 단순한 성능 개선을 넘어 서버 메모리 구조 자체의 변화를 의미한다. 즉 서버용 메모리가 '고성능 중심 RDIMM'에서 '저전력 기반 모듈'로 일부 이동하는 신호로 해석된다. 이번 SOCAMM2는 엔비디아의 차세대 AI 플랫폼 'Vera Rubin'에 최적화된 제품으로 설계됐다. 이는 단순 기술 개발을 넘어 AI 생태계 진입 측면에서 의미가 크다. 현재 AI 인프라는 엔비디아 GPU를 중심으로 형성돼 있으며 이에 최적화된 메모리 솔루션을 공급하는 것이 시장 진입의 핵심 조건으로 꼽힌다. 특히 초거대 AI 모델은 수천억 개의 파라미터를 처리하는 과정에서 메모리 병목 현상이 빈번하게 발생한다. GPU 연산 속도를 메모리 데이터 공급이 따라가지 못할 경우 전체 시스템 성능이 제한되는 구조다. SOCAMM2는 이러한 성능 제약을 완화하면서도 전력 효율을 높일 수 있는 대안으로 평가된다. AI 메모리 시장은 현재 HBM 중심으로 재편됐지만 중장기적으로는 다양한 메모리 솔루션 간 경쟁이 동시에 전개될 가능성이 크다. 삼성전자와 마이크론 역시 저전력 메모리 기반 서버 솔루션을 준비하고 있는 것으로 알려졌다. 특히 AI 데이터센터의 전력 소비가 급증하면서 메모리 업체 간 경쟁은 단순 성능을 넘어 '전력당 성능(Performance per Watt)' 중심으로 이동하고 있다. 이 과정에서 SOCAMM2와 같은 저전력 모듈은 HBM을 보완하는 역할을 하며 새로운 시장을 형성할 가능성이 크다. SK하이닉스가 강조한 부분은 '양산 체제 조기 안정화'다. AI 시장은 기술 개발 속도뿐 아니라 실제 공급 능력이 중요한 산업이다. 특히 클라우드 서비스 기업(CSP) 고객들은 대규모 인프라 구축 시 검증된 제품을 선호하는 만큼 양산 경험과 레퍼런스 확보가 수주 경쟁에서 핵심 요소로 작용한다. 이번 양산은 단순 기술 발표를 넘어 실질적인 공급 단계에 진입했다는 점에서 의미가 있다. 중장기적으로 AI 메모리 시장은 HBM, DDR, LPDDR 기반 모듈 등이 공존하는 다층 구조로 발전할 가능성이 크다. 학습 단계에서는 HBM과 같은 초고성능 메모리가, 추론 단계에서는 SOCAMM2와 같은 저전력 메모리가 각각 역할을 분담하는 방식이다. 이는 메모리 기업들에게 새로운 기회를 제공하는 동시에 경쟁을 더욱 복잡하게 만드는 요인으로 작용할 전망이다. SK하이닉스의 SOCAMM2 양산은 이러한 흐름 속에서 AI 메모리 포트폴리오를 확장하려는 전략적 움직임으로 평가된다. HBM으로 확보한 기술 리더십을 저전력 메모리 영역까지 확장할 수 있을지가 향후 경쟁의 핵심 관건이 될 것으로 보인다. 김주선 SK하이닉스 AI Infra 사장(Chief Marketing Officer)은 "SOCAMM2 192GB 제품 공급으로 AI 메모리 성능의 새로운 기준을 세웠다"며 "글로벌 AI 고객과 긴밀한 협력을 바탕으로 고객이 가장 신뢰하는 AI 메모리 설루션 기업으로 자리매김하겠다"고 말했다.2026-04-20 17:10:58
많이 본 뉴스
영상
Youtube 바로가기
![[사설] 환율 안정에 안주할 때 아니다…외환 방어력 키울 골든 타임이다](https://image.ajunews.com/content/image/2026/07/13/20260713092838404021_518_323.jpg)